机译:高分辨率HSQ光致抗蚀剂的纳米级图案化,采用台式超紫外激光干涉光刻技术
机译:极紫外干涉光刻技术:纳米图案化的途径
机译:使用台式极紫外激光干涉光刻技术制造金属微图案
机译:由台式极端紫外线干涉激光光刻制造的次100 NM特性阵列
机译:预测由于在吸盘过程中夹带颗粒而导致的极端紫外线光刻掩模的图案表面变形。
机译:204 nm光栅周期的干涉式硬X射线相衬成像
机译:极端紫外光刻三维图案的严格模拟 面具
机译:更新sEmaTECH 0.5 Na极紫外光刻(EUVL)微场曝光工具(mET)。会议:spIE - 极紫外(EUV)光刻V,加利福尼亚州圣何塞,2014年2月23日;相关信息:Journal.publication日期:90481m。